PHABLE™
Eulitha的愿景是通过创新的纳米光刻技术，成为提高光子器件性能和效率的卓越解决方案提供商。通过提供创新的纳米光刻解决方案，进而提高性能和效率，释放光子器件的潜力。
Eulitha的PHABLE™（PHOTONICS ENABLER）技术代表了纳米制造领域的重大进步。这是一种尖端的光刻系统，专为高产出、低成本的周期性纳米结构生产而不断优化。该技术利用了一种独特的非接触、接近UV光刻方法，可以在大面积上制备亚微米分辨率的图案。这对光子学和光电子等精度和可重复性至关重要的行业尤其有益。
PHABLE在不牺牲分辨率的情况下快速加工纳米结构的能力使其有别于传统的光刻方法。它的独特优势在于它能够生成具有显著焦深的光学图像，这是传统的接近、接触或投影光刻技术所没有的特征。这可以毫不费力地在非平坦表面上曝光，如LED晶片。
PHABLE™是一种基于掩模的紫外线光刻技术，与现有的基础设施（如光刻胶和光掩模）无缝集成。它能够以高生产能力在大面积衬底上制备周期性结构，如六边形或正方形晶格的孔阵列，或线性光栅。该技术允许在单个芯片或晶片上同时曝光各种图案，类似于在硅片上曝光不同电路的方式。Eulitha在这项新技术上拥有很多的专利。
应用范围几乎不受限，包括：
Eulitha提供了一种称为Phable的独特光刻系统，以及基于该技术的大量标准图案。还提供客户基板上的图案化项目以及定制制造解决方案，以满足光子和其他领域的不同客户需求。Eulitha在这项新技术上拥有广泛的专利组合，已颁发或正在申请的专利超过10项。
PHABLE的独特优势在于它能够生成具有很大焦深的光学成像。这不同于任何传统的接近、接触或投影光刻技术。因此，在诸如LED晶片之类的非平坦表面上进行曝光是容易实现的。与全息光刻相反，图像是由掩模上的图案定义的，因此光刻不同的图案只需要简单地更换掩模。它还能够在单个芯片或晶片上同时曝光多种图案，就像在硅片上曝光不同电路一样。
提高GaN基LED有源区的光提取效率一直是LED行业面临的主要挑战。产生光的层的高折射率意味着很大一部分光被捕获在内部，最终被吸收和损失。用光子晶体图案图案化LED的表面可以将这些器件的效率提高2-3倍。它还对发射光的角度分布进行了显著的控制。更高效率的LED器件可能带来巨大的经济和环境效益。
类似的光子图案也被需要用于其他应用，例如基于纳米线的LED和光伏器件。图案化Si衬底上的异质外延和外延层过生长（ELO）方法也需要周期性图案。光子学领域需要纳米结构的新兴应用不断增加。目前可用的光刻技术要么不具有必要的性能，例如成像分辨率或在非平坦表面上曝光的能力，要么其成本高得令人望而却步。PHABLE™技术非常适合解决这些新出现的制造中的问题。
使用位移Talbot光刻在深紫外线区域进行亚波长曝光。
Li Wang, Francis Clube, Christian Dais, Harun H. Solak, Jens Gobrecht, Microelectronic Engineering, Volume 161, 104–108, (2016).
位移Talbot光刻中的相移掩模，用于曝光纳米网格和周期性图案。
Harun H. Solak, Christian Dais, Francis Clube, Li Wang, Microelectronic Engineering, Volume 143, 74–80, (2015).
